磁性半金属の特異な磁性をゲート電圧で変調することに成功

東京大学大学院工学系研究科附属 量子相エレクトロニクス研究センターの中野 匡規 特任准教授（研究当時、研究当時：理化学研究所（理研）創発物性科学研究センター 創発機能界面研究ユニット ユニットリーダー兼任、現：芝浦工業大学 工学部 教授）、同研究科物理工学専攻の岩佐 義宏 教授（研究当時、研究当時：理研 創発物性科学研究センター 創発デバイス研究チーム チームリーダー兼任、現：理研 創発物性科学研究センター 副センター長、同センター 創発デバイス研究グループ グループディレクター）、梶原 駿 大学院生（研究当時）、王 越（オウ　エツ）大学院生（研究当時）、同大学生産技術研究所の松岡 秀樹 特任助教（理研 創発物性科学研究センター 創発デバイス研究チーム 客員研究員兼任、研究当時：同センター 基礎科学特別研究員）らの研究グループは、同大学大学院工学系研究科附属 量子相エレクトロニクス研究センターの平山 元昭 特任准教授（理研 創発物性科学研究センター トポロジカル材料設計研究ユニット ユニットリーダー兼任）、同大学先端科学技術研究センターの野本 拓也 講師（研究当時、現：東京都立大学 理学部 物理学科 准教授、理研 創発物性科学研究センター 計算物質科学研究チーム 客員研究員兼任）、有田 亮太郎 教授（理研 創発物性科学研究センター 計算物質科学研究チーム チームリーダー兼任）と共同で、磁性半金属テルル化クロムの強磁性転移温度、磁気異方性、異常ホール効果などの性質を、ゲート電圧で大きく変調することに成功しました。

詳細は東京大学工学部のホームページをご覧ください。

報道担当

理化学研究所 広報室 報道担当
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