絶縁被覆した規則配列ナノワイヤーの開発に成功 - 分子デバイスの配線開発に先鞭をつける -

携帯電話やインターネットが当たり前の情報手段となり、情報化社会は、年々加速する一方です。高精度画像などが、日常的に飛び交い、より大容量、より高密度、より小型軽量化が、情報化社会を支える基盤技術として、強く求められています。　DRAM、フラッシュメモリー、ハードディスクなどの記録媒体は、こうした要望に応えるべく進歩しつづけ、市場を賑わしています。 　同時に、さらに高精度で高速処理を可能にする、新しい分子デバイスや原子素子などの実現を目指した研究開発が盛んになっています。この一連の研究開発の重要なターゲットの1つとして、記憶素子と配線の微細化があげられています。配線材料の有力候補として注目されるのが、ナノワイヤーで、さまざまな材料開発の研究が進んでいます。 　理研中央研究所加藤分子物性研究室らの研究グループは、伝導性の有機分子と絶縁性有機分子とが自己組織的に集合して結晶化するという性質を活用して、結晶性2芯ナノワイヤー、および被覆の絶縁性を向上させたナノワイヤーの開発に成功しました。ナノワイヤーとしては、すでにカーボンナノチューブ、金属ナノワイヤーなどが登場していますが、これらの材料には、被覆する技術がなく短絡を起こしやすい、ナノワイヤーが1本1本独立で規則配列の実現が困難、などの問題点がありました。研究グループが開発した2種類の新規のナノワイヤー結晶は、これらの問題点を解決することが出来るもので、3次元分子記憶媒体の配線に道を拓くものと期待できます。さらに、メモリー回路だけでなく、論理回路などの配線を可能にし、社会の要請をすみやかに実現する原動力となります。