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独立行政法人 理化学研究所 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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二次元的分子ナノワイヤー形成が世界初で可能に - 新世代単分子デバイスの実用化へ - |
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| 平成17年11月2日 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
◇ポイント◇
電子デバイスとして広く活用されるシリコンの結晶表面では、2つのシリコン原子同士が結合してダイマー(二量体)を形成し、それらのダイマーが平行にならんだ構造(ダイマー列)で安定化しています。この表面に水素原子を結合させると、水素で終端された表面が得られ、水素終端表面からさらに、水素原子を取り除くことで部分的に結合不飽和な「ダングリングボンド」と呼ばれる結合状態を形成することができます。このダングリングボンドは一つの電子しか持たないため反応性が非常に高く、ある種のアルケン分子(炭素−炭素二重結合をもつ分子)は、ダングリングボンドと反応し、ダイマー列に平行な分子列を形成することが知られていました。 本研究では、アルケン分子の中で、末端基のみが違う分子の中から、ダイマー列に直交する方向だけに成長をする分子を見出すことに成功しました。この発見により、従来の方法とあわせることで、シリコン表面の任意の2点を結ぶ分子配線が始めて可能となります。見出した分子は、プロペンチオール(CH2=CH-CH2-SH)で、走査トンネル顕微鏡を使ってシリコン表面の水素を引抜くことで、任意の地点間に分子列を形成することができ、さらに化学修飾による新たな機能付加も可能です。 この成果は、電子デバイスとして広く活用されているシリコン内に自由にナノワイヤーを配線させる実用性の高い技術となり、期待される分子・原子デバイスの研究を加速させる意義があります。また、米国の科学雑誌『Journal of the American Chemical Society.』11月2日号に掲載されます。
<補足説明>
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